盘点T3Ster热阻测试仪的九大优势

T3ster 是Mentor Graphics 公司研发的瞬态热测试仪，基于国际标准的静态实验方法JESD51-1，测量IGBT、MOS 管、功率二极管、三极管、LED、IC类等半导体电子器件的热阻、热容特性。

T3Ster是一款先进的半导体器件封装热特性测试仪器，在数分钟内提供各类封装的热特性数据。T3Ster专为半导体、电子应用和LED行业以及研发实验室的应用而设计。系统包括强大的软件部分和硬件部分，测量的器件包括分离或集成的双极型晶体管、MOS晶体管、常见的三极管、LED封装和半导体闸流管，各种封装类型的器件和IC的一些部件。因其配备专业的设备和软件，它也能测试PWB、MCPCB以及其他基板、热界面材料或冷却组件的热特性。

T3Ster的基本配置包括测试主机(包括数控单元、功率驱动单元和1-8个测试通道)以及安装Windows平台的测量控制和结果分析软件。仪器配备有不同的接口(USB或LPT接口)联接到个人电脑上。除此之外，客户还可以选配各种不同的附件以加强其功能。

T3Ster作为半导体器件热阻测试测量行业的标杆和引领者，具有其他同类设备无法比拟的优势。 1.设置简单，操作方便

无需复杂的测试流程，一次接线，一次测试，即可得到稳态的结温热阻数据，也可以得到结温随着时间的瞬态变化曲线。 2.数据稳定，测试结果可复现 盘点T3Ster热阻测试仪的九大优势

各种三极管、二极管等半导体分立器件，包括：常见的半导体闸流管、双极型晶体管、以及大功率IGBT、MOSFET、LED/OLED/MicroLED等器件的热阻测试；
各种复杂的IC以及MCM、SIP、SoC等新型结构的热特性测试；
各种复杂的散热模组的热特性测试，如热管、风扇等。

4. 通过结构函数曲线分析散热结构

T3Ster独创的Structure Function(结构函数)分析法，能够分析器件热传导路径上每层结构的热学性能(热阻和热容参数)，构建器件等效热学模型，是器件封装工艺、可靠性试验、材料热特性以及接触热阴的强大支持工具，因此被誉为热测试中的“X射线”。 5. 测试速度快、产能高 T3Ster基于先进的JEDEC ‘Static Method’测试方法（JESD51-1），通过改变电子器件的输入功率，使得器件产生温度变化。在变化过程中，测试启动时间仅为 1us，测试周期短，T3Ster测试出芯片的瞬态温度响应曲线，仅在几分钟之内即可分析得到关于该电子器件全面的热特性。

新一代热瞬态测试仪the Thermal Transient
Tester SI——T3ster SI 盘点T3Ster热阻测试仪的九大优势

T3Ster SI 大大提高了测试产能和效率

一个标准机架最多可容纳10个插入单元（Plug in Units）；
多达5个加热通道；
多达40个测量通道 – 适合多核IC或者TTV芯片的测试；
可将两台Simcenter T3Ster SI设备并行使用，最多获得80个测量通道的测试能力。

6.非破坏性测试

测试方法——基于电学法的热瞬态测试技术，在原位对器件进行电压监测。

寻找器件内部具有温度敏感特性的电学参数，通过测量该温度敏感参数（TSP）的变化来得到结温的变化。
无需对被测器件进行破坏和拆卸动作，只需找到器件内的具有二极管结电压特性的管脚，接上测试线测试即可。

盘点T3Ster热阻测试仪的九大优势 8. 可产生基于测试的简化热模型 热学仿真模型的建立与验证(包括材料属性的验证） 建立模型: 一个可靠的、标准的器件热模型对于预测器件在各种散热条件下的结温，设计性能优异的散热模组是必须的。建立一个准确的热学模型，首要的条件就是要准确地获得器件的各种热学参数。利用T3Ster的热瞬态测试法再辅之以结构函数的分析，能够帮助用户准确地获得热阻容参数，不仅能帮助用户建立稳态热学模型，还能很好地建立动态热学模型(DCTMs)。用户可以利用这些模型预测器件的稳态以及瞬态热学行为。 验证模型：T3Ster具有高精度的采集功能和测试结果的高重现性，并且1us的时间分辨率可以全方位地验证模型的稳态和瞬态特性。 T3Ster是目前唯一满足半导体热阻模型测试标准的测试仪器。