热瞬态测试仪（T3Ster）

产品综述

T3Ster?[发音：tri-ster] — the Thermal Transient Tester：热瞬态测试仪，用于半导体器件的先进热特性测试仪，同时用于测试IC、SoC、SIP、散热器、热管等的热特性。

关键特性

T3Ster兼具JESD51-1定义的静态测试法（StaticMode）与动态测试法（DynamicMode），能够实时采集器件瞬态温度响应曲线（包括升温曲线与降温曲线），其采样率高达1微秒，测试延迟时间高达1微秒，结温分辨率高达0.01℃。

T3Ster既能测试稳态热阻，也能测试瞬态热阻抗。

标准符合性

T3Ster的研发者MicRed是JEDEC最新的结壳热阻(θjc)测试标准（JESD51-14）的制定者，T3Ster是目前全球唯一满足此标准的仪器。T3Ster的测试方法符合IEC60747系列标准。

T3Ster的研发者MicRed制定了全球第一个用于测试LED的国际标准JESD51-51，以及LED光热一体化的测试标准JESD51-52。T3Ster和TeraLED是目前全球唯一满足此标准所规定的光热一体化测试要求的。

T3Ster的测试方法符合MIL-STD-883Hmethod1012.1和MIL-750E3100系列的要求。

技术优势

T3Ster独创的StructureFunction(结构函数)分析法，能够分析器件热传导路径上每层结构的热学中国电子热可靠性工程应用倡导者您专业可信赖的合作伙伴性能（热阻和热容参数），构建器件等效热学模型，是器件封装工艺、可靠性试验、材料热特性以及接触热阻的强大支持工具。因此被誉为热测试中的“X射线”。

T3Ster可以和热仿真软件Flotherm，FloEFD无缝结合，将实际测试得到的器件热学参数导入仿真软件进行后续仿真优化。

应用概述

应用对象

各种三极管、二极管等半导体分立器件，包括：常见的半导体闸流管、双极型晶体管、以及大功率IGBT、MOSFET、LED等器件；各种复杂的IC以及MCM、SIP、SoC等新型结构；各种复杂的散热模组的热特性测试，如热管、风扇等。

测试方法、标准及流程

测试方法

电压法，利用p-n结恒定电流下的正向电压值来指示温度变化。

测试标准

电压法测结温与瞬态热测试JESD-51-1和JESD-51-14：

测试流程

1)使用测试小电流取得被测半导体器件温度系数(mV/℃，得到正向电压随温度变化的关系)；

2)使用大电流进行加热；

3)当达到热平衡状态时，切换成小电流测量(切换时间小于1μs)；

4)当切换到测试电流后,被测半导体器件的正向电压被测量并记录下来，直到和环境温度达到新的热平衡状态。被记录下来的正向电压数值通过被测半导体器件的温度系数(mV/℃)被转换成为相应的温度随时间变化的关系。

T3Ster技术优势

A、先进的静态实时测试方法T3Ster的测试技术与传统的动态测试法(dynamicmode)不同，采用的是先进的静态测试法(staticmode)，可以实时地采集待测器件的结温随着时间的变化。而动态测试法是通过人为构建脉冲加热功率来模拟瞬态过程，并非器件实际的瞬态温度响应。静态法的测试时间短、测试数据点密而且测试数据的信噪比更高。

B、测试启动时间高达1us，保证测试结果准确性研究表明，在测试中如果瞬态变化最初1ms时间内的温度没有被采集到，最终的热阻值将被低估10%-15%左右。

C、实时采样时间间隔高达1us，采样点数最多65000点，保证数据完备性。