又是软件泄露？硬件检测软件偷跑更多移动端产品信息，高性能标压产品亮相。

新闻①：硬件监控软件 HWMonitor 曝光 AMD / 英特尔新款移动处理器

    HWMonitor 最新发布的 1.48 版本曝光了英特尔和 AMD 的多款新品。

    AMD 方面，HWMonitor 曝光了 R5 7535H 和 R7 7735HS 两款暂未发布的移动处理器，都是现款 Zen3+ 架构，分别为 6 核和 8 核，预计分别为 R5 6600H 和 R7 6800HS 的马甲，频率可能会有小幅提升。

    英特尔方面，HWMonitor 曝光了 i5-13450HX、i5-13500HX、i7-13650HX 和 i7-13700HX，该系列处理器为 55W TDP 的移动型 ，应该是台式机芯片移植而来。i5-13420H、i5-13500H、i7-13620H 和 i7-13700H，该系列处理器为 45W TDP 的移动型 。

    2023 CES 将在下月开始，预计 AMD 和英特尔将发布新一代移动处理器，搭载新一代移动处理器的笔记本预计将在第一季度上市。

原文链接：https://m.ithome.com/html/658428.htm

    这个软件咱们的读者应该都认识，是和CPU Z来自同一公司的硬件检测软件，回想起来之前的P后缀处理器，1370P的偷跑信息就是来自于CPU Z的更新数据，这个公司是专业偷跑的？和之前的P系列28W的产品不同，这次曝光的全是性能更强的标压45W产品，AMD这边的也是功耗更高的HS后缀产品，看来这次两家移动平台的高端产品都已经准备好了。不过AMD这边提升不大，大家应该会更期待有更多小核心加持的Intel？？

新闻②：AMD Zen4 架构移动处理器爆料：最高 16 核，核显最高 12CU

    爆料人“All The Watts”最近放出了关于 AMD 下一代 Zen4 架构 U、HS、HX 处理器的消息，供大家参考参考。

Zen4 架构 U 系列

R7 7740U 8c 12 CU

R5 7640U 6c 6 CU

    据该爆料人消息，用于轻薄本的 Zen4 U 系列处理器采用依旧是 8 核心和 6 核心两款，核显为 RDNA3 架构，12CU 和 6CU 两款。据称核显频率有所提升，ES 版即可达到 2.6GHz，性能预计可达 RX 570 水平。

Zen4 架构 HS 系列

R9 7940HS 8c 12 CU

R9 7840HS 8c 12 CU

R7 7740HS 8c 12 CU

R5 7640HS 6c 6 CU

    用于轻薄游戏本的 HS 系列与 U 系列同源，最高 8 核，12CU 核显，功耗更高。

Zen4 架构 HX 系列

R9 7945HX 16c 2 CU

R9 7845HX 12c 2 CU

R7 7745HX 8c 2 CU

R5 7645HX 6c 2 CU

    用于高端游戏本的 HX 系列应该是 Zen4 桌面处理器移植而来，可选 6 核、8 核、12 核和 16 核，核显为 2CU，TDP 为 55W，最高可达 140W。

    AMD 预计将在下月初的 CES 上发布新一代移动处理器，搭载该系列处理器的笔记本最早会在第一季度上市。

原文链接：https://m.ithome.com/html/658582.htm

    同时，AMD这次应该是在移动端用上了双CCD，这个消息在之前就有传出过，现在基本是石锤了。在这则消息中曝光的标压R5、R7也与上文中提到的基本一致。除此之外，AMD这次HX后缀产品要比6000系强多了，也就是我们说的用上了双CCD，终于是突破了8核的极限。至少这次在多核性能上，凭借更多的大核心，应该是能比对面的i9强一线？至于核显上，12CU的规模和680M是一致的，但是架构升级到了RDNA3，纯架构性能的提升在没有缓存加持的情况下，不知道能为核显带来多大的进步，会不会超过神卡1060呢？

新闻③：三星开发新一代“GDDR6W”显存技术，可实现带宽和容量翻倍

    据TechPowerUp 道，虚拟世界技术对高性能、高容量和高带宽内存的需求不断增长，为了满足市场需求，三星开发了新一代“GDDR6W”，其作为业界首个下一代显存技术，能有效提升带宽和容量。

    GDDR6W基于三星的GDDR6产品而来，而GDDR6自面世以来已经有了显著的改进，去年7月，三星开发了24 Gbps GDDR6内存，是目前业界最快的显存。在此之上，GDDR6W的带宽和容量增加了一倍，而尺寸则和GDDR6保持不变，由于尺寸不变，用于生产GDDR6的生产线也能快速转变为生产GDDR6W芯片，并且使用FOWLP技术，减少制造时间和成本。FOWLP技术可直接将内存芯片安装在硅片上，而不是印刷PCB电路板上，再应用了RDL技术，从而实现更精细的布线模式，基于FOWLP技术的GDDR6W的高度为0.7毫米，比之前高度为1.1毫米的封装薄36%，由于不涉及PCB，降低了封装厚度，对散热也有所改善。

    GDDR6W可以在系统级支持HBM级别的带宽，HBM2E拥有基于4K系统级I/O的1.6 TB/s的系统级带宽，以及每引脚3.2 Gbps的传输速率。另一方面，GDDR6W基于512系统级I/O和每引脚22Gpbs的传输速率，可以达到1.4 TB/s的带宽。而且，与HBM2E相比，GDDR6W将I/O数量减少了约1/8，也使成本效益得到进一步提高。

    三星电子存储器业务新业务规划副总裁CheolMin Park表示:“通过将先进的封装技术应用于GDDR6，GDDR6W提供了两倍于类似尺寸封装的存储容量和性能。“借助GDDR6W，我们能够培育出能够满足各种客户需求的差异化内存产品，这是我们巩固市场领先地位的重要一步。”

    三星电子在今年第二季度完成了GDDR6W产品的JEDEC标准化，三星电子还宣布，将通过与显卡厂商的合作，将GDDR6W的应用扩展到笔记本电脑等小尺寸设备以及用于人工智能和高性能计算应用的新的高性能加速器。

原文链接：https://m.expreview.com/85783.html

    这个新技术不错啊，至少比现在32bit单颗2G的显存要强，最起码这次是容量翻倍位宽也翻倍，不会出现那些高分低能的东西。当然，这种特殊的结构势必也会导致发热增加，虽然肯定比3090那个双面显存散热压力小，但肯定会比现在差。不知道未来这种大容量显存能否普及？只占用更小的面积，会不会为旗舰显卡带来更高的显存容量呢？？

备注：

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