干货收藏 |一大波光芯片产品来了！

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光模块由光器件、电路芯片、PCB以及结构件构成，其中光器件占光模块成本的72%。光器件的核心为光收发组件，两者合计占光器件成本的80%，而在光收发组件中，成本占比最高的（也是光模块技术壁垒最高的）为光芯片。

9月7-9日，在CIOE同期信息通信展中， Artilux、Bandwidth 10、DenseLight、MACOM、逍遥、贝思科尔、中科微光子、三安、安捷康、苏纳、科大亨芯、优迅、傲科、芯思杰、源杰、博升、敏芯、光隆、长瑞、光特、神州高芯、汇光芯创、仟目激光、华芯半导体、慧芯激光、元芯、凌越、中科光芯、中国电科十三所、奇芯光电、亿芯源、POET、飞昂、明夷电子、重庆声光电、仕佳光子、常州光芯、欧亿、芯耘、米硅、橙科微电子、艾锐光电、微龛、鑫耀、摩本、科谱、胜创、双芯微、纳米克热电、赛格瑞、芯波微、新微半导体、通感微、宙镓、众瑞速联等企业都将带来 光电芯片相关技术及产品 （企业排名不分先后），光博君整理了部分展品预览，快来一睹为快吧！ >展品持续更新中，点击查看更多相关技术及产品

点击完成参观登记， 免费参观，限时登记还可免费获得含【下一代数据中心光互连多样化产品的支撑性技术】、【硅光技术产业现状及未来应用展望】、【超100G光模块技术与标准化进展及应用探讨】在内的20份光电热门产业及应用 告！（ 告将于8月2日统一发送至登记邮箱）

部分企业展品预览

（排名不分先后）

Tanner EDA芯片IC/MEMS/Photonics设计软件

Tanner是Mentor（A Siemens Business）公司面向数模混合电路、功率器件、传感器、MEMS及硅光半导体（SiPhotonics）等各类简易或特殊芯片的全流程开发工具。Tanner产品自面世至今已有30年以上的历史，其成功用户遍布全球，Tanner的版图设计工具L-Edit在MEMS、传感器、硅光半导体领域更是垄断型的工具，如HP、楼氏、华为/海思、ZTE等行业巨头均采用Tanner L-Edit作为版图设计工具。各大晶圆代工厂如TSMC、UMC、GF、X-FAB、TowerJazz、Dongbu、CompoundTek、AMF等都建有Tanner各种制程（28nm~0.35um~1um）的PDK。

Lumerical光学仿真软件

Lumerical是目前市场上专业的模拟光学仿真软件，提供了强大的设计环境，帮助光子学设计师开发下一代微纳尺度光子技术。Lumerical软件由四大部分组成，包括光子器件设计与仿真：FDTD，波导求解和传播模拟：MODE，有限元多物理场光电子设计模拟平台：DEVICE和光子芯片设计仿真：INTERCONNECT。可以应用于生物技术，数据通信，信息存储，太阳能，环境传感和消费电子等各个领域。

FloTHERM/FloEFD热仿真软件

FloTHERM以CFD (Computational Fluid Dynamic，计算流体动力学) 原理为基础，对系统在层流、湍流或过渡态状态下的导热、对流及辐射情况进行求解，获得系统流动传热的全景。

FloEFD 是无缝集成于主流三维CAD 软件中的高度工程化的通用流体传热分析软件，它基于当今主流CFD 软件都广泛采用的有限体积法(FVM)开发，完全支持导入市场上的主流三维CAD模型以及多种格式的模型文件，主要用于结构件或机械流体系统的散热分析或研究材料的散热效果。

中科微光子科技（成都）有限公司

晶圆制造流片服务

中科院微电子所硅光平台对外提供基于8英寸SOI的光子集成流片服务以及8英寸硅基SiN光子集成流片服务。基于SOI的工艺模块包括220 nm/150 nm/70 nm无源器件刻蚀工艺、高速调制器掺杂工艺、TiN加热电极工艺、锗材料外延工艺、硅和锗的欧姆接触及金属层工艺等。

平台每年可对外提供6-8次MPW流片服务。同时为了满足客户的特殊工艺要求，可提供工艺定制服务。基于硅基SiN的光子集成流片服务以定制化为主，平台已实现SiN器件库。

8寸有源硅光晶圆

技术参数：

– 指标：8寸

– 最小线宽/间距：180nm

8寸无源硅光晶圆

技术参数：

– 指标：8寸

– 最小线宽/间距：180nm

厦门市三安集成电路有限公司

展位 : 5B61

DFB

DFB(Distributed-feedback laser), 即分布反馈式半导体激光器。DFB的优势是具有非常好的单色性，线宽可以做到1MHz以内，以及具有非常高的边模抑制比。目前三安集成的 10G DFB处于小批量供货阶段。

VCSEL

VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser), 即垂直腔面发射激光器，具有阈值电流小，发光效率高、波长可选择、耦合效率高、尺寸小等优点。目前，三安集成已实现 10G VCSEL量产，25G VCSEL已经在客户端验证通过，消费端 VCSEL产品目前在开发过程中。

PD

PD(Photodiode), 即光电二极管。三安集成的PD产品，速率涵盖1.25G、10G和25G的, 波长涵盖850nm、1310nm及1550nm。三安集成可以提供PD、APD、MPD等产品，基本满足光通领域所有的PD需求类型。

广东安捷康光通科技有限公司

8英寸AWG/WDM芯片

安捷芯已建成投产的8英寸晶圆-芯片-组件-模块一站式生产园区，拥有万级千级百级净化室。安捷芯基于自主的半导体工艺的8英寸晶圆技术，与现在的6英寸晶圆工艺相比，能大大降低生产成本和提高产能。而且具有从晶圆/芯片开发设计到组件和模块生产的一体化生产能力，从而能第一时间应对客户的需求和关于产品品质的问题，并可以快速实现规模化生产，满足客户需求

苏州苏纳光电有限公司

InGaAs PD

针对室外低温工况进行优化的PD探测芯片，国内主流甲烷探测传感客户的重要供应商。

武汉光安伦光电技术有限公司

10G 1577/1550nm EML

10G 1577/1550nm EML

江苏科大亨芯半导体技术有限公司

25G跨阻放大器

HX3010是一款高灵敏度、低功耗的跨阻放大器，可以支持8.5Gbps~28.1Gbps的传输速率，其主要功能是将PD传输过来的电流信 转化为差分电压信 输出，内部集成了限幅放大器、自动增益控制电路以及平均光电流监控电路（RSSI）。

25G调顶光收发器

HX3210（E）是一款应用于5G前传等领域的低功耗光收发芯片，可以支持8.5~28.1Gbps的传输速率，其内部集成了CDR，LDD以及LA。同时还集成了双向环回功能（Loopback），可以满足系统的环回检测。另外，还集成了调顶功能，包含物理层、链路层和部分业务层的功能，是目前市场上首颗集成三大运营商调顶标准的电芯片，高集成度使得无需其它外围器件即可实现调顶功能，模块厂商开发难度大幅降低，极大简化生产调试工作。通过配置寄存器，就可以分别支持MWDM、LWDM和DWDM的调顶标准。

厦门优迅高速芯片有限公司

25G LR收发方案：UX3470+UX2070

UX3470是一个高度集成的光收发器件，包括双通道CDR，限幅放大器和DML激光驱动器。ux2070是一个高灵敏度跨阻放大器，AGC达3dBm，3.3V供电，功耗90mW，带有源监测电流输出的高平均输入光功率监测可选功能。

100G LR4/CWDM4方案：UX2290+UX2091

UX2091是一种四通道高灵敏度限幅TIA, 带有为100G/200G可插拔光模块所设计的CDR。输入间隔在250 μ m中心上以兼容标准光学接口。UX2290是一款高度集成的DFB激光驱动器，包括带cdr的四通道DML激光驱动器，为满足QSFP28模块的性能和功率要求而设计。

100G SR4 收发方案：UX2291+UX2091

UX2091是一种四通道高灵敏度限幅TIA, 带有为100G/200G可插拔光模块所设计的CDR。输入间隔在250 μ m中心上以兼容标准光学接口。UX2291是一个四通道 25.78Gbps/28.05Gbps的VCSEL驱动器，集成了CDR和输入均衡器。每个通道由一个输入均衡器、一个激光驱动器和一个高性能的CDR组成。

XFP/SFP+双CDR收发方案：UX3463/UX3461

UX3463是一款集成了双通道CDR、限幅放大器和EML激光驱动器的IC，匹配XFP/SFP+模块的低功耗要求。UX3461是一款集成了双通道CDR、限幅放大器和DML激光驱动器的IC，匹配XFP/SFP+模块的低功率要求。

XGPON OLT方案：UX3367+UX2420S

UX3367结合了带CDR的10Gbps EML驱动和2.5Gbps突发模式限幅放大器，可用于XGPON OLT光模块。它具有输入均衡和输出预加重功能，并带有芯片内APC控制功能。UX2420S是一种用于XG-PON OLT接收的高灵敏度突发模式跨阻放大器，采用先进的亚微米CMOS工艺制作，集成了逐位突发模式AGC增益控制。

深圳市傲科光电子有限公司

Four Channel 64GBaud Modulator

The AL1648D is a low-power, high-performance, quad-channel linear driver chip. It is designed for 400G/600G optical integrated transmitter small-form factor (SFF) modules for metro and long-haul applications.

Four Channel 64GBaud TIA

The AL2648D is a 64Gbps linear quad TIA chip that integrates four lanes of TIAs for XI, XQ, YI, and YQ channels, as well as digital interface circuitry for DC controls on a single die for 400G/600G coherent applications.

Single-Channel 28Gbps TIA

AL2211D is a high sensitivity 28Gb/s trans-impedance amplifier (TIA). It has 6K of small-signal differential trans-impedance gain and consumes 120mW using a 3.3V power supply.

芯思杰技术（深圳）股份有限公司

光探测器芯片

研发和生产基于磷化铟 (InP)基底的半导体光电探测器芯片系列。

陕西源杰半导体科技股份有限公司

50G PAM4 CWDM DFB Laser

50G PAM4 CWDM4 DFB，作为国内主要数据中心200G的关键依托技术，源杰将提供持续的产品竞争力。

10G 1270nm DFB Laser

10G 1270nm DFB Laser，应用于XGSPON，源杰成熟发货产品，在头部模块厂家独家供应。

10G&25G CWDM6 DFB Laser

应用于5G前传，面对5G前传高速率、大容量、省光纤的应用场景，该系列芯片源杰2020年国内发货量位居榜首，大批量交付给多个业内领先的光模块和系统设备厂家。

深圳博升光电科技有限公司

高速光通信VCSEL光芯片

高速光通信VCSEL光芯片，14G、25G NRZ、50G PAM4、100G PAM4

武汉敏芯半导体股份有限公司

1550nm High Power DFB Chip

1550nm High Power DFB Chip 是一款工作波长为1550nm的应变多量子阱单模边沿发射 DFB激光器，具有高可靠性，高输出功率和窄线宽的特点。芯片在25℃，200mA可达到典型功率70mW，CW测试下线宽在500kHz以内。芯片正表面提供数字编码用于追溯，所有出货的芯片均须符合100%的常温测试规格。可以应用于激光雷达，相干光通信领域，光纤传感，DWDM光源等多个领域。

50G PAM4 DFB

D25XX-X0-020-X3系列单模边沿发射DFB激光器，可支持25G NRZ以及50G PAM4速率的信 传输。该系列采用AlGaInAs多量子阱结构设计，脊波导工艺，具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点。芯片在25℃下，电光转化效率最小可达0.2mW/mA，Outer ER=4.26dB下，TDECQ约1.4dB，75℃条件Outer ER=4.5dB下，TDECQ约2.2dB。产品主要应用在5G中、回传和数据中心200G FR4等应用场景。

桂林光隆科技集团股份有限公司

探测器芯片产品

芯隆科技产品应用于光通信 ( PON 络 / 数据中心 ) 和传感器 ( 气体检测 / 温度监控 ) 两大类别领域，同时具备接收端芯片和封装的客制化设计和量产能力。主要产品类为光通讯探测器芯片和TO器件：MPD / 2.5G PIN PD / 2.5G APD；10G PIN PD / 10G APD / 25G PIN PD；气体传感器接收端芯片：1653.7nm光敏面1000μm PIN PD。

半导体激光器芯片

雷光科技专注于制造高端半导体激光芯片，产品主要用于数据通信和电信市场。3英寸晶圆：3英寸晶圆上每颗芯片都有独一的代 ，测试后能做局部分析mapping。DFB激光器芯片：DFB激光器，即分布式反馈激光器，内置布拉格光栅，属于边发射的半导体激光器。在光通信领域中主要以磷化铟(InP)半导体材料为介质。产品特性：窄线宽、宽温域、波长稳、高速率。产品应用：5G通信、激光传感、光纤到户、数据中心。

苏州长瑞光电有限公司

垂直腔面发射激光器

50G PAM-4 砷化镓基850nm波长多模VCSEL芯片，尺寸为250um*250um*150um。

垂直腔面发射激光器

单通道25Gbps速率，砷化镓基850nm波长多模VCSEL阵列芯片，尺寸为1000um*250um*150um

浙江光特科技有限公司

InGaAs 2.5G/10Gbps APD Chip

基于磷化铟 (InP)基底的光电探测器系列芯片：InGaAs 2.5Gbps APD Chip广泛应用于吉比特以太 、同步光 络OC-48、吉比特无源光 络、光纤通信，具有低暗电流，高响应度，高倍增等特点；

InGaAs 10Gbps APD Chip广泛应用于10G PON、长距离 络、单模数据通信和电信，具有高倍增、低电容、抗WIFI干扰能力强。

高性能大光敏面APD

该产品光敏面直径为200μm、500μm、1000μm正面入光，便于光纤对准，上下电极结构，产品包括单点、线列、面阵等，可定制；具有高响应度，高倍增，低暗电流特点。高性能大光敏面的APD Chip封装成单管的TO-CAN可以提高光接收机的灵敏度，广泛应用于光时域反射计 、激光测距、距离测量、空间光传输、低光级探测、激光告警和激光雷达。

InGaAs 10/25Gbps PIN Chip/Chip Array

InGaAs 10/25Gbps PIN Chip应用于10/25Gbps光纤传输系统、5G通讯系统，具有高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性的特点，25Gbps光电二极管芯片，是正面入光高速PIN光电二极管，入射光敏面直径Φ20μm，主要和25Gbps TIA搭配，应用于长距、高速和单模的25Gbps光接收器；

InGaAs 4x25Gbps PIN Chip Array应用于光纤通信中4x25G PD阵列，该产品分别为GSG、GS结构，有低暗电流、低电容、高响应度的特性。

InGaAs Φ80μm Analog PD Chip/InGaAs 1mm PD Chip

InGaAs Φ80μm Analog PD Chip主要应用于数字以及模拟光通信、模拟有线电视，InGaAs 1mm PD Chip主要应用于光功率计、气体分析和湿度计，均具有暗电流低、低电容、高响应度等特点。

无锡神州高芯科技有限公司

25G/100G VCSEL 芯片

深圳市汇光芯创光电技术有限公司

激光器驱动芯片

SG-D2811是低功耗，高性能EML驱动器，性能高达56Gbps的应用。驱动程序可以支持差速输入信 ，范围可达600mVpp。该设备具有控制输出从1.0Vpp到1.8Vpp的功能。该装置抖动性能低，在1.8Vpp工作时，典型的功耗为350mW。

武汉仟目激光有限公司

940nm TOF光芯片

850nm 结构光芯片

850nm 4*25G Vcsel

仟目激光的850nm Vcsel 芯片具有低电容值，支持高带宽，同时在芯片设计上支持非气密性封装。产品有1.25G, 2.5G, 10G, 25G, 4X10G, 4X25G等不同速率。

华芯半导体科技有限公司

850nm56G 同面电极VCSEL系列芯片

产品特征：850nm多模激光输出；高可靠性，低功耗；低寄生电容；高低温稳定性；高波长稳定性；56Gpbs调制速率。应用领域：高速光通信；大数据中心；芯片互联。

940nm 高功率VCSEL系列芯片

产品特征：940nm多模激光输出；输出功率定制化（100mW-2000mW）；芯片尺寸订制化；芯片波段订制化（850nm-980nm）；高波长稳定性。

850nm25G 同面电极VCSEL系列芯片

产品特征：850nm多模激光输出；低阈值电流和低工作电流；高可靠性，低功耗；低寄生电容；高低温稳定性；高波长稳定性；25Gpbs调制速率。应用领域：短距离100Gbit/s以太 ；AOC有源光缆；HDMI，USB3.0；高速光通信；大数据中心；芯片互联。

850nm 10G VCSEL系列芯片

产品特征：850nm多模激光输出；低阈值电流和低工作电流；高可靠性，低功耗；低寄生电容；高低温稳定性；高波长稳定性；10Gpbs/40Gpbs调制速率。

应用领域：短距离40Gbit/s以太 ；AOC有源光缆；HDMI，USB3.0；高速光通信；大数据中心；芯片互联 。

福建慧芯激光科技有限公司

3D感测VCSEL（垂直腔面发射激光器）芯片

慧芯激光的多模高功率近红外VCSEL（垂直腔面发射激光器）阵列芯片，采用国际先进的芯片制作工艺和独特的芯片设计方案，以严苛的技术性能指标为产品标准，制造满足多个领域需求的3D传感光电芯片。

本系列光电芯片可提供输出功率范围为：0.85、1、1.5、2、2.5、3W的6个种类。其可靠的制作工艺，优异的光电转换效率、发散角等性能，使产品具备工作温度宽泛、性能稳定、低功耗、高可靠性等特性，适用于市场主流智能手机和智慧终端等设备。

4×25G高速光电探测器芯片

慧芯激光的25Gps 4×25 InGaAs PIN阵列芯片，是在InP衬底上制作的4通道InP/InGaAs PIN阵列芯片，具备高响应度，低暗电流和高带宽特性，每通道可支持25Gbps数据传输。芯片采用正入射台面型结构，光敏面直径23um，支持1260nm至1565nm波长的探测。同时其工作温度范围宽，温度稳定性较好，可靠性已通过Telcordia-GR-468-CORE标准。

高速25G VCSEL芯片

慧芯激光的25G 850nm Vcsel，是基于GaAs衬底制作垂直腔面发射激光器芯片，其具备低阈值电流，小发散角，斜效率高等特性，可支持25Gbps速率的数据传输，广泛地应用于数据中心内部互联、有源光缆、超高清HDMI线缆等。

50G高速光电探测器芯片

慧芯激光的50Gps InGaAs PIN阵列芯片，是在InP衬底上制作的InP/InGaAs PIN阵列芯片，具备高响应度，低暗电流等特性，每个通道可支持50Gbps数据传输（可提供单芯片和4通道阵列芯片）。芯片采用正入射台面型结构，光敏面直径为10um，支持1260nm至1560nm工作波长。.

25G DFB (分布反馈式激光器)芯片

慧芯激光的25 G 1310 nm DFB芯片，是基于InP衬底制作的分布式反馈激光器芯片，可支持25Gbps的数据传输。该芯片外延采用多量子阱(MQW)有源层，单模输出通过周期性光栅来实现，模式限制采用脊波导的结构。同时芯片采用复杂的端面解理、排bar镀膜技术以实现激光的边发射输出。

宁波元芯光电子科技有限公司

气体探测DFB激光器芯片

气体探测DFB激光器是波长可以精确控制的半导体激光器。不同波长激光器可以用于探测不同种气体。提供14pin蝶形封装和TO39封装。现有波长如下：

1. HF（氟化氢）: 1272.970nm

2. NH3（氨气）: 1512.236nm

3. C2H2（乙炔）: 1521.060nm

4. CO（一氧化碳）: 1565.981nm

5. CO2（二氧化碳）: 1579.654nm

10G高速直调分布式反馈激光器芯片

10G DFB是一种包含有源区和反射区的两段式ＤＦＢ激光器。直调制带宽超过10GHz，边模抑制比>55dB。

产品参数：运行温度：-40 ~ 85 ℃；3dB 直调带宽：15 GHz；10G PON 波长：1270 nm；CWDM 波长：1271 nm

全C波段大范围可调谐激光器芯片

多通道干涉激光器是基于InP材料体系的大范围波长可调谐半导体激光器。多通道干涉激光器可以通过电调或者热调实现超过40纳米的波长准连续调谐。该设计具有独立的IP，拥有美国和中国专利。

25G高速直调分布式反馈激光器芯片

基于我们独创的设计，我们的DFB激光器具有55dB的边模抑制比，且在-40℃到85℃不跳模。波长准确度做到+/-1纳米在常温和85℃下，该DFB激光器在60 mA注入电流情况下分别实现了大约23GHz和18GHz的3-dB调制带宽。

重庆凌越光电科技有限公司

905 nm及1550 nm大功率激光芯片

凌越光电同时掌握砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）半导体光芯片平台，大功率激光芯片产品包括905 nm以及符合人眼安全的1550 nm的脉冲（Pulsed）或直流（CW）激光芯片，可定制单管和巴条，非常适合各类激光测距、激光雷达及三维成像应用。

25 Gbps 1.3 μm 分布式反馈激光器（DFB）芯片

凌越光电25 Gbps DFB芯片是一款1.3微米波长的分布式反馈激光器（DFB）芯片。适用于25 Gbps及28 Gbps等速率的光纤通信应用。

50G PAM4 LWDM4 电吸收调制激光器（EML）芯片

凌越光电50G PAM4 LWDM4 EML芯片组是高性能电吸收调制激光器（EML）。适用于单通道或四通道25G NRZ或50G PAM4光纤通信应用。产品特点包括，高发光效率多量子井（MQW）分布式反馈（DFB）结构激光器，高带宽、高消光比（ER）、低调制电压（Vpp）调制器，高可靠性等等。

福建中科光芯光电科技有限公司

2.5G /10G/25G 芯片

1、描述：对外延片进行镀膜、光刻、刻蚀、腐蚀、清洗、以及光栅再生长等工序形成芯片；进行解离、镀膜、测试等形成合格的芯片

2、特征：

响应波长1250nm~1650nm

直调速率2.5Gbps/10 Gbps/25Gbps 1310nm DFB LR/25Gbps 1270~1370nm DFB CWDM/1550nm高功率DFB激光器

符合RoHS

中国电子科技集团公司第十三研究所

光电芯片、激光器、光电模块等

公司领域涵盖微电子、光电子、大数据应用三大领域，拥有半导体激光器、光探测器、光通信组件三条封装产线，具备GB/T19001质量管理体系、环境管理体系和职业健康与安全管理体系。公司半导体激光器业务主要面向激光加工、激光美容、激光雷达三大技术领域，公司拥有半导体芯片设计制造能力，产线已量产。

西安奇芯光电科技有限公司

QXP WDM Chipset

CWDM芯片组件：数据中心的发展趋势是高集成度、高速率、低功耗，全球大型数据中心设备之间的数据通信接口在从100G往400G发展。该芯片组就是针对这一市场设计开发，有非常广泛的应用。产品主要特点：尺寸小、成本低、损耗小、可靠性高、高端口密度。

厦门亿芯源半导体科技有限公司

EOC5028

单通道25Gbps收发一体芯片；24.3~28.1Gbps工作速率

0~15dB可编程TX EQ增益；RX输入灵敏度：10mVpp;　RX LOS迟滞可编程。

EOC5007/EOC5006

10G PON ONU 对称/非对称光收发一体芯片，平均功率和消光比控制，带有兼容SFF-8472数字诊断监视，LDD最高输