| 类型特点 | SRAM | DRAM |
|---|---|---|
| 存储信息 | 双稳态触发器 | 栅极电容 |
| 破坏性读出 | 否 | 是 |
| 读出数据需要重写 | 否 | 是 |
| 运行速度 | 快（常用于制作Cache） | 慢（用于制作主存） |
| 集成度 | 低 | 高 |
| 发热量 | 高 | 低 |
| 成本 | 高 | 低 |
| 制造成本 | 高 | 低 |
| 断电后信息消失 | 是 | 是 |
| 是否需要刷新 | 不需要 | 需要（电容的流失 1-0） |
| 送行列地址 | 同时送 | 分两次送（减少引脚数 |
SRAM：
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