中科大实现硅基自旋量子比特寿命的高效调控

集微 消息（文/依然）据中国科学技术大学官方消息，物理学院郭光灿院士团队在延长硅基自旋量子比特寿命（弛豫时间）研究中取得重要进展。

该团队固态量子计算研究组郭国平教授、李海欧研究员等人与中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心王桂磊副研究员、美国加州大学洛杉矶分校姜弘文教授和美国纽约州立大学布法罗分校胡学东教授，以及本源量子计算公司合作，在国际上首次发现了硅基自旋量子比特弛豫的强各向异性：通过改变外加磁场与硅片晶向的相对方向，可以将自旋量子比特寿命提高两个数量级以上。

据悉，硅基自旋量子比特以其超长的量子退相干时间，以及与现代半导体工艺技术兼容的高可扩展性，成为量子计算研究的核心方向之一。

李海欧、郭国平等人通过制备高质量的Si MOS量子点，实现了自旋量子比特的单发读出，并以此测量技术为基础研究了外加磁场强度和方向对自旋量子比特弛豫速率的影响。

据悉，郭国平教授研究组长期致力于半导体量子芯片的研发，于2014年开始开展基于自旋量子比特的硅基半导体量子计算研究。